Faʻaaoga e le Samsung le tekonolosi EUV i le DRAM gaosiga mo le taimi muamua

Na faʻaalia foi e le ZDnet, na faʻalauiloa mai e le Samsung na ia faʻaoga faʻalelei le tekonolosi EUV i le DRAM gaosiga.

Ua lafo mai e le Samsung le 1 miliona 10nm DDR4 DRAM o loʻo gaosia e faʻaaoga le EUV, ma ua maeʻa iloiloina e tagata faʻatau. Fai mai Samsung o le faamaeʻaina o le iloiloga o le a saunia le ala mo le tele o gaosiga o DRAM fou i le tausaga fou.

O le laina o oloa gaosia a le Samsung e le EUV-only V2 i le fale gaosi Pyeongtaek o le a amataina ai le gaosiga o DRAM modules i le afa lona lua o le tausaga. O le laina gaosia e faʻamoemoe e gaosia le 4 augatupulaga 10nm DDR5 ma LPDDR5.

Oleisi lenei chip gaosia e le Pyeongtaek laau ile faʻaopopoga ole 7nm chip e faʻaaogaina le EUV technology. Fai mai Samsung o le tekonolosi EUV o le a faaluaina le gaosiga o le lelei o se tasi 12-inisi wafer.

Global semiconductor gaosi oloa e pei o Samsung, Intel ma TSMC o loʻo faʻamoemoe e faʻalautele le faʻaaogaina o le EUV tekonolosi i le gaosiga o chip. Na taʻua muamua e Samsung o loʻo fuafua e faʻaaoga le tekonolosi EUV e maua ai le 3nm chips.